Tuleville Wear OS -kelloille luvassa runsasta parannusta akunkestoon uuden piirin myötä

Qualcomm julkaisi puettaviin laitteisiin tarkoitetut Snapdragon W5 Gen 1- ja Snapdragon W5+ Gen 1 -piirit. Näistä jälkimmäistä tullaan käyttämään uusissa älykelloissa.

Snapdragon W5+ Gen 1 tuo tuleviin uuden sukupolven Wear OS 3 -kelloihin kaivattua parannusta akunkeston osalta. Optimoinnin osalta Wear OS -alustaa kehittävä Google ja Qualcomm tekevät yhteistyötä.

Uusi piiri valmistetaan 4 nanometrin prosessilla, kun edeltäjä, Snapdragon 4100+, hyödyntää 12 nanometrin prosessia. Snapdragon 4100+ -piiriä käytetään esimerkiksi tuoreessa Montblanc Summit 3 -kellossa.

4 nanometrin prosessi tuo jo itsessään selvää parannusta virranhallintaa, sillä se kuluttaa vähemmän virtaa.

Qualcommin mukaan piiri tarjoaa jopa 50 prosenttia pienemmän kulutuksen edeltäjään verratessa. Akunkestossa auttaa myös uusi aina päällä oleva apupiiri, jonka tehtävä on hallita taustatoimintoja ja siten vähentää virrankulutusta.

Qualcommin mukaan Snapdragon 4100+ -piiriä ja 300 mAh akkua käyttävä kello tarjoaa noin 28 tunnin akunkeston, mutta Snapdragon W5+ Gen 1 -piirillä ja 300 mAh akulla varustettu kello yltää jopa 43 tunnin lukemaan.

Esimerkkejä Snapdragon W5 piirin akunkestosta Snapdragon 4100+ vastaan

Qualcommin mukaan uusi piiri tarjoaa selvää parannusta akunkestoon.

Edeltäjään verratessa uusi piiri tuo jopa kaksinkertaisen parannuksen suorituskykyyn ja piiri on myös 30 prosenttia pienempi kooltaan.

Snapdragon W5+ Gen 1 tukee Bluetooth 5.3 -yhteyttä, Wifiä ja GNSS-paikannusta.

Qualcomm kertoo, että ensimmäisenä uusi piiri nähdään OPPO Watch 3- ja Mobvoi TicWatch -kelloissa. Yhteensä kehitteillä on jo nyt 25 uuteen piiriin perustuvaa kelloa.