Qualcomm julkisti Snapdragon 820:n jo MWC-messuilla maaliskuun alussa, paljastaen siinä käytettävän yhtiön omia 64-bittisiä Kryo-suoritinytimiä (nykyisissä piireissä käytetään ARM:n Cortex-ytimiä). Snapdragon 820:n kerrottiin käyttävän myös FinFET-transistoreita, mutta niiden tuotantotekniikka jätettiin avoimeksi. Näin ollen niiden valmistaja voi olla joko Samsung (yhteistyössä Globalfoundriesin kanssa) tai TSMC.
Snapdragonit on valmistettu tähän saakka TSMC:llä, mutta Re/coden sisäpiirilähteiden mukaan Snapdragon 820 aiottaisiin valmistaa Samsungin 14 nanometrin tekniikalla. Samaa tekniikkaa käytetään jo nyt Galaxy S6:ssa käytettävässä Exynos 7420 -piirissä.
Samsungin on nähty olevan TSMC:tä hieman edellä ensimmäisen sukupolven FinFET-tekniikassa, mikä tietysti puoltaisi siirtymistä Samsungin tekniikkaan. TSMC on tosin aloittamassa tuotannon omalla 16 nanometrin FinFET-tekniikalla jo tulevana kesänä. Bloombergin tietojen mukaan Applekin valmistaisi A9-piirinsä Samsungilla, joten ainakin piiritilauksia korealaiselle tuntuu riittävän: MediaTekia lukuun ottamatta seuraavat high-end-piirit valmistetaan Samsungin tekniikalla.
Kommentit (1)
Tämä on Samsungin suunta. Eli Samsungista tulee loppujen lopuksi puolijohteiden kokoonpanija. Veikkaan että muiden yksiköiden (mm. puhelinten valmistus) tulokset painuvat rajusti pakkaselle ja yksiköt lopetetaan.