Matti Robinson
29. joulukuuta, 2016 23:29
Qualcommilta odotetaan heti ensi vuoden alkuun uutta rautaa huippupuhelimiin. Vuodot osasivatkin jo tänään kertoa tulevan Snapdragon 835 -piirin tehoista, mutta uutuuspiiri on vahvistettu myös valmistajan toimesta.
We're powering up for #CES2017 with #Snapdragon 835. pic.twitter.com/tiddquZNnZ
Vaikka vuotaneissa tuloksissa kyseessä on todennäköisesti referenssilaite, niin ne vaikuttivat vahvistavan, ettei mitään huimia tehohyppyjä edellissukupolvesta ole tiedossa. Qualcomm onkin tosin päättänyt keskittyä tehokkuuden sijaan kertomaan markkinointimateriaalissa latauskyvyistä. Akkuominaisuuksien lisäksi twiiteissä vihjaillaan myös virtuaalitodellisuuteen ja kameraan viittaavista ominaisuuksista.
Snapdragon 835 on Qualcommin Twitter-viestien mukaan varustettu uudella Quick Charge 4.0 -ominaisuudella, joka tarkoittaa, että puolet akusta (2750mAh) voidaan ladata vain viidessätoista minuutissa. Tämä on nopeampi tahti kuin esimerkiksi huippunopea Dash-lataus OnePlus 3:ssa ja 3T:ssä.
Lisäksi yhtiön testien mukaan viiden minuutin latauksella voidaan saavuttaa viiden tunnin käyttöön tarvittava akkuvaraus. Qualcomm vahvistaa myös, että Snapdragon 835 julkaistaan todella ensi viikon CES-messuilla Las Vegasissa.