Manu Pitkänen
18. marraskuuta, 2016 9:20
Mobiilipiirisuunnittelija Qualcomm on paljastanut valmistuttavansa seuraavan sukupolven Snapdragon 835 -järjestelmäpiirin Samsungin 10 nanometrin tuotantotekniikalla.
Samsung kertoi jo lokakuussa uuden tuotantoprosessinsa keskeisimmät parannukset 14 nanometrin tekniikkaan nähden: transistoritiheys paranee 30 prosentilla ja suorituskyky paranee 27 prosentilla tai vaihtoehtoisesti piirin virrankulutus alenee 40 prosentilla (suorituskyvyn pysyessä samana). Teknisten edistysaskeleiden ansiosta ensi vuoden huippupuhelimien akkukeston voidaan ennakoida paranevan nykyisestä.
Qualcomm ei halunnut vielä paljastaa Snapdragon 835:n teknisiä ominaisuuksia, joten vielä ei päästä vertailemaan sitä Snapdragon 821:een. Ensimmäisten Snapdragon 835:tä käyttävien mobiililaitteiden arvioidaan saapuvan markkinoille vuoden 2017 alkupuoliskon aikana. Sen verran Qualcomm kuitenkin kertoi, että Snapdragon 835 tulee tukemaan uutta Quick Charge -latausteknologiaa, jonka luvataan lataavan akun puolilleen noin 15 minuutissa.