Manu Pitkänen
3. syyskuuta, 2015 10:22
Epäonnistuneen Snapdragon 810 -lanseerauksen myötä Qualcommilla on hoppu tuoda markkinoille uusi tehopiiri kaikkein kalleimpiin älypuhelimiin ja tabletteihin, minkä avulla se voisi palauttaa takaisin tänä vuonna menetettyjä asiakkuuksia. Yhtiön vastaus tähän haasteeseen on Snapdragon 820, johon perustuvia laitteita on tulossa markkinoille ensi vuoden alkupuoliskolla.
Jo aikaisemmin tiedettiin, että Snapdragon 820:ssä tullaan hyödyntämään Qualcommin itse kehittämiä Kryo-suoritinytimiä. Tähän saakka yhtiö on tyytynyt ARM:n tarjoamiin vaihtoehtoihin 64-bittisissä piireissä. Kryo-ytimistä löytyy myös ensimmäistä kertaa FinFET-transistoreita, joiden valmistajaksi on nyt paljastunut Samsung (14 nm:n tekniikka).
Qualcommin mukaan suoritinytimet voivat nakuttaa 2,2 gigahertsin kellotaajuudella ja piirin suorituskyvyn luvataan olevan peräti kaksinkertainen lämpöongelmista kärsineeseen Snapdragon 810:een verrattuna. Uudistetun mikroarkkitehtuurin ja uuden tuotantoprosessin lisäksi suorituskykyä parantaa Qualcommin mukaan se, että piiriä on optimoitu heterogeeniseen laskentaan, jossa tehtäviä voidaan jakaa tarpeen mukaan digitaalisen signaaliprosessorin ja grafiikkaohjaimen kanssa.