Matti Robinson
22. maaliskuuta, 2015 14:07
Qualcommin yksi suurimmista skandaaleista on ollut käsillä viimeisen puolen vuoden aikana. Piirivalmistaja menetti väitetysti valtavan Samsung-asiakkuuden ylikuumenemisongelmien takia. Nyt julkaistut tiedot kertovat seuraavan sukupolven kohdalla tehdyistä korjausliikkeistä.
Qualcommin ongelmapiiriksi on osoittautunut Snapdragon 810, joka löytyy esimerkiksi LG G Flex2:sta sekä HTC:n tulevasta One M9 -lippulaivamallista. Ainakin osa piireistä ja niitä käyttävistä puhelimista kärsii merkittävästä ylikuumenemisesta, jonka vaikutukset ovat monimuotoisia – sekä käytettävyys että suorituskyky voivat heikentyä.
Uudet yhtiön sisäiset testit kuitenkin osoittavat, että tuleva korvaaja pärjää Snapdragon 810:tä paremmin lämpenemistä vastaan. STJS Gadget Portalin käsiin saamat testit kertovat, että Asphalt 8 Airbone -pelissä uusi Snapdragon 815 lämpeni 38 asteeseen ongelmapiiri Snapdragon 810:n lämmetessä 44 asteeseen (kuva alla). Väliin mahtui muutaman vuoden takainen huippupiiri Snapdragon 801 42 asteella.
Tietojen mukaan puhelimista oli eliminoitu kaikki turha laitteisto, jolloin laitteissa oli esimerkiksi vain peliin tarvittavat sensorit. Tämä tarkoittaa, että loppukäyttäjien laitteissa lämpötilat voivat kyseisillä piireillä varustetuissa laitteissa olla suuremmat, mutta ero silti uudemman piirin hyväksi.
Koska testit on tehty yhtiön sisällä, niiden luotettavuudesta voi olla montaa mieltä. Toisaalta lupaavat tulokset kertovat Qualcommin onnistumisesta vähentää lämpöä, mutta samalla yhtiö ei halua varmasti morkata omaa tämänhetkistä huippupiiriä, jonka lämpöongelmista se on aiemmin ollut varsin vaitonainen. Testissä mitatut lämpötilat eivät kerro minkään piirin kohdalla ylikuumenemisesta, jollaisia on mitattu esimerkiksi HTC One M9:stä (>55 astetta).
Vasta Snapdragon 815 saavuttua markkinoille tiedämme varmasti miten Qualcommin uusi piiri pärjää tosielämän testissä.