Manu Pitkänen
16. helmikuuta, 2015 11:09
Samsung on aloittanut 14 nanometrin FinFET-tekniikalla valmistettavan Exynos 7 Octa -järjestelmäpiirin massatuotannon. Piiriä tullaan näillä näkymin käyttämään maaliskuun alussa esiteltävässä Galaxy S6 -älypuhelimessa.
Samsung ei halunnut vielä tässä vaiheessa paljastaa uuden piirin teknisiä tietoja, vaan tyytyi toistamaan jo aiemmin tunnetut tiedot 14 nanometrin tuotantotekniikan eduista nykyisin käytössä olevaan 20 nanometrin tekniikkaan nähden: tekniikka mahdollistaa suorituskyvyn kasvun 20 prosentilla tai tehonkulutuksen vähentymisen 35 prosentilla.
Tarkemmat tiedot piiristä on jätetty ilmeisesti tarkoituksella Galaxy S6:n esittelytilaisuuteen.
Näillä näkymin Galaxy S6 tulee olemaan markkinoiden ensimmäinen älypuhelin, jonka järjestelmäpiirissä käytetään 3D-transistoreita. Monissa muissa Android-lippulaivoissa käytettävä Qualcommin Snapdragon 810 perustuu perinteisempään 20 nanometrin tekniikkaan. Applen odotetaan käyttävän tämän vuoden iPhone-malleissa myös Samsungin 14 nanometrin tuotantotekniikkaa.