Teemu Laitila
21. helmikuuta, 2013 16:32
Qualcomm on paljastanut uuden ominaisuuden jo tammikuussa ensimmäisen kerran esitellystä Snapdragon 800 -piiristään. Ensi vuonna laitteissa nähdyt piirit sisältävät Quick Chagrge 2.0 -tekniikan, jonka Qualcomm lupaa lyhentävän latausaikoja jopa 75 prosentilla.
Quick Charge 1.0 löytyy jo nykyisistä Snapdragon S4 -piireistä, mutta sen uudempi versio nopeuttaa latausta entisestään sallimalla suuremmat virtamäärät ja tuomalla ohjauselektroniikkaa puhelimen lisäksi myös laturin päähän. Qualcommin omien mittausten perusteella normaalisti seitsemän tuntia latautuva tabletti tulee täyteen jo alle kolmessa tunnissa.
Vaikka Quick Charger 2.0 tulee olemaan sisäänrakennettu Snapdragon 800 -piiriin, se voidaan asentaa laitteisiin myös erillisellä piirillä. Koska Quick Chargen uudempi versio tarjoaa enimmillään jopa 60 watin tehon aiempaan 10 wattiin verrattuna, sitä voitaisiin käyttää myös esimerkiksi kannettavien akkujen latauksessa.