Teemu Laitila
21. helmikuuta, 2012 12:22
Liian hidas Flash-muisti voi olla syynä puhelinten hidasteluun ja hidas muisti voi myös huonontaa akunkestoa käyttämällä ylettömän paljon aikaa tallennus- ja lukuoperaatioihin. Georgia Institute of Technologyn tutkijoiden mukaan muistin nopeudella on suurempi merkitys kokonaissuorituskykyyn, kuin aiemmin on ajateltu.
Tutkijat testasivat Android-puhelimen suorituskykyä eri valmistajien muistikorteilla ja havaitsivat, että hitaampi Flash-muisti heikensi suorituskykyä sadasta aina kolmeensataan prosenttiin. Yhdessä erikoistapauksessa suorituskyvyn lasku oli jopa 2000 prosenttia eli suoritukseen käytetty aika kasvoi 20 kertaiseksi.
Tutkimusta johtaneen tohtorintutkintoa suorittavan Hyojun Kimin mukaan Flash-muistin kehitys ei ole pysynyt perässä puhelinten muiden osien nopeutuessa jatkuvasti. Tutkimuksessa perätään uutta näkökulmaa tallennusjärjestelmien kehitykseen, jotta niistä ei muodostu pullonkaulaa verkkojen ja laitteiston muiden osien nopeutumisen myötä. Tutkimuksessa havaittiin, että hidas Flash-muisti vaikutti sovellusten nopeuteen niin Google Mapsissa kuin Facebook-sovelluksessakin.
Erityinen ongelma on hidas satunnaisten I/O-kutsujen käsittely. Tutkijoiden mukaan vikaa on sekä tekniikassa että siinä, miten sovellukset rakennetaan kirjoittamaan satunnaista dataa muistiin jatkuvasti. Ratkaisuksi tarjottiin esimerkiksi pientä nopeaan PRAM-muistiin perustuvaa puskurimuistia, johon voitaisiin tallentaa suorituskyvyn kannalta oleellista dataa sekä RAID-tyylisiä ratkaisuja ja tiedostojärjestelmien kehitystä.
Edit: Tarkennettu prosenttilukujen merkitystä.